韩国制造出单层石墨烯上最薄半导体氧化物异质外延层

本文摘要：据报导，韩国蔚山国家科学技术研究所（UNIST）近日发售一种新的生产方法，可生产可谓世界最厚氧化物半导体——二维氧化锌（ZnO）。该半导体只有一个原子厚度大小。这可为厚、半透明和柔性电子器件（例如超小型传感器）应用于修筑新的可能性。新的超薄氧化物半导体由UNIST材料科学和工程教授ZonghoonLee教授领导的团队创立。 该材料通过用于原子层沉积（ALD）必要在石墨烯上生长单个原子厚度的ZnO层。它也被指出是单层石墨烯上最厚的半导体氧化物的异质外延层。

据报导，韩国蔚山国家科学技术研究所（UNIST）近日发售一种新的生产方法，可生产可谓世界最厚氧化物半导体——二维氧化锌（ZnO）。该半导体只有一个原子厚度大小。这可为厚、半透明和柔性电子器件（例如超小型传感器）应用于修筑新的可能性。新的超薄氧化物半导体由UNIST材料科学和工程教授ZonghoonLee教授领导的团队创立。

该材料通过用于原子层沉积（ALD）必要在石墨烯上生长单个原子厚度的ZnO层。它也被指出是单层石墨烯上最厚的半导体氧化物的异质外延层。Lee回应，“灵活性的高性能设备对于传统可穿着电子产品必不可少。

有了这种新材料，我们可实现确实的高性能的柔性设备。”该团队认为，随着现有硅生产工艺更加细致，性能沦为一个更为关键的问题，且早已有许多关于下一代半导体替代硅的研究。

石墨烯具备出色的导电属性，但它无法作为电子产品中硅的替代物，因为它没能带隙。但是，在石墨烯中，电子能以恒定速度随机移动，不管它们的能量如何，它们都不暂停。为解决问题这个问题，研究小组要求通过原位仔细观察，在石墨烯上ZnO单层的优先之字形边缘，展示锌和氧的原子与原子之间生长。然后，它们通过试验确认，由于量子容许和类石墨烯“超强蜂窝”结构，以及低光学透明度，最厚的ZnO单层具备宽带隙（高达4．0eV）。

现有的氧化物半导体具备比较大的带隙，范围在2．9－3．5eV间。带上隙能量越大，溢电流和过量噪声就越较低。研究人员回应，“这是首次确实仔细观察ZnO六方结构的原位构成。

通过这个过程，我们可理解二维ZnO半导体生产的过程和原理。”Lee回应，“石墨烯上最厚的2D氧化物半导体的异质外延填充在与低光学透明度和灵活性涉及的未来光电器件应用于中具备潜力。这项研究可产生一类新的2D异质结构，还包括通过对沉积路径外延生长的高度掌控构成的半导体氧化物。

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